本發明屬于納米光催化技術領域,涉及半導體硫化銻(Sb2S3)納米晶及其制備方法和光催化產氫性能的測試方法,其化學式為:Sb2S3,分子量為339.68,結構為正交晶系,空間群號:Pcmn(62);其晶體顆粒呈無規則球形狀,晶體顆粒大小分布較窄為6.5nm~11.5nm,高斯擬合后得出平均尺寸為8.67nm,且化學成分比較均勻、結構單一,表面純凈,半導體硫化銻納米晶的直接帶隙值約為1.74eV本發明的有益效果在于:使用的機械合金法屬于一種物理合成方法,相比于化學制備方法具有操作簡便、設備價格低廉、對環境沒有污染、易于大規模生產等優勢。
聲明:
“半導體硫化銻納米晶及其制備方法和光催化產氫性能測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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