本發明公開了一種探測光電材料微區光電性能的方法,涉及光電化學技術領域。本發明以掃描電化學顯微鏡裝置為基礎,通過采用光纖微探針和微電極探針,在光電化學池中通過精確掃描樣品微區(包括晶粒和晶界等),從而獲得材料微區光電化學性能。本發明的一種探測光電材料微區光電性能的方法可以測量出材料微區的不同表面微觀形貌對應的光電性能差異,以及探測晶界及不同晶粒取向的光電性能分布,解決了傳統方法上只能測量材料整體宏觀光電性質的局限,對光電轉化機制研究和工藝性能改進具有重要的指導意義。
聲明:
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