本發明涉及一種近紅外量子點單光子源的制備方法及檢測方法,目的是為了解決單量子點產生單光子的過程中會發生俄歇電離或者載流子俘獲,從而造成單量子點熒光輻射出現熒光中斷甚至熒光淬滅等現象的技術問題。本發明所采用的技術方案是:一種近紅外量子點單光子源的制備方法,包括以下步驟:將蓋玻片表面進行清潔;對蓋玻片表面進行氨基功能化處理;將近紅外單量子點通過化學鍵固定在蓋玻片上;將單量子點浸沒在保護劑中;加蓋另外的一個蓋玻片防止保護劑的蒸發和隔離外界環境的影響;本發明通過保護劑薄膜有效地消除近紅外單量子點的電離態來有效地抑制近紅外單量子點的熒光輻射中斷和光漂白,從而使量子點產生穩定的單光子輻射。
聲明:
“近紅外量子點單光子源的制備方法及檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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