本發明涉及一種偏離化學計量比的Mg摻雜ZnO納米柱及其制備方法,屬于半導體材料技術領域。該Mg摻雜ZnO納米柱的化學結構組成為MgxZnO;其中,0.7≤x≤0.9。其制備方法主要包括以下步驟配制納米柱前驅溶液和制備Mg摻雜ZnO納米柱,在配制納米柱前驅溶液過程中Zn2+/Mg2+/pH值緩沖劑三者的摩爾比為1:x:1,其中x是化學計量比的偏離值,其在0.7≤x≤0.9的限值范圍內。本發明偏離化學計量比的Mg摻雜ZnO納米柱制備方法簡單,成本低,溶液組分易調控,可重復性強,適用于大面積商業化生產制造,制成的Mg摻雜ZnO納米柱具有強光散射性能,在太陽能電池及光探測器件等領域有重要應用前景。
聲明:
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