單片三腔式紅外加熱超高真空化學氣相淀積外延系統屬于超大規模集成電路薄膜外延生長和超晶格薄膜材料生長技術領域,除了高真空機組、氣路裝置、尾氣處理裝置、測溫控溫裝置、加熱電源、計算機控制裝置以外,其特征在于,它含有:反應腔;用于取放樣片的預裝片腔,該腔的前端經一個高真空閥門與裝片腔隔離,在該腔后端有一個磁傳動樣片片架,以便在該高真空閥門打開時把樣片片架上所預裝的樣片從預裝片腔傳送到裝片腔,該預裝片腔上端是一個具有高真空密封圈密封的翻蓋門;裝片腔:它含有氣缸驅動的樣片升降臺,取放樣片機械手以及與之相連的磁傳動桿。本發明具有樣片外延薄膜均勻性好、質量高和外延生產效率高的優點。
聲明:
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