本發明提供了一種含有鉍和鹵素的半導體材料及其制備與分析方法。所述的含有鉍和鹵素的半導體材料,其特征在于,其化學式為Cs3Bi2BrxI9?x,其中,x=1?6.85。本發明的通式為Cs3Bi2BrxI9?x的半導體材料,具有可調節的直接帶隙能,在本發明的實施例中最小可調節至1.99eV,低于現有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的帶隙能,能夠吸收可見光譜中更寬的波長范圍。
聲明:
“含有鉍和鹵素的半導體材料及其制備與分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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