本發明公開了一種分析鑄造多晶硅微觀結構的方法,其包括以下步驟,步驟一、將鑄造多晶硅通過化學拋光和Secco刻蝕處理;步驟二、在步驟一后用大型金相顯微鏡進行觀測和拍照;步驟三、在步驟二后進行分析。本發明的有益效果為:通過化學拋光和Secco刻蝕的方法,研究了商業多晶硅和自制多晶硅塊的微觀結構,經拋光后,清楚地觀察到晶界、亞晶粒、半晶界和小三角等缺陷;經Secco刻蝕后,位錯缺陷凸顯出來,主要有密集位錯、集中位錯、位錯排等;經拋光和Secco刻蝕后,觀察和發現了各種形式的位錯缺陷,通過對多晶硅微觀結構的分析,進一步了解多晶硅晶體缺陷的形成機理,也可以為后續多晶硅鑄錠工藝的制定和優化打下一定基礎。
聲明:
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