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一種穩壓二極管及其制造方法

1175   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 06:32:27
本發明屬于半導體器件制作領域,涉及穩壓二極管生產領域,尤其涉及一種穩壓二極管及其制造方法。穩壓二極管包括背面電極層、襯底N+、外延層N??、外延層N?、正電極區P+、保護擴散環P++、鈍化層和銀臺電極,本發明的穩壓二極管設計使用N+/N??/N?雙外延層外延片,利用雙擴散工藝制作PN結,鈍化層包括由下到上依次設置的二氧化硅和氮化硅;工藝中采用PECVD工藝和雙擴散結構制作工藝技術,簡化工藝步驟的同時提高了芯片的性能。本發明的穩壓二極管制造方法相較于傳統工藝流程改動小,因此具有兼容性好、實用性強的特點。
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“一種穩壓二極管及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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