本發明提供了一種硅片晶圓劃片工藝,包括以下步驟:S1刀片選型;S2晶圓切割,包括橫切工序和豎切工序兩道工序;橫切工序采取雙刀切割,雙刀切割包括以下步驟:a第一刀切割,b第二刀切割;S3性能檢測;本發明的有益效果:橫切工序采用雙刀切割相比與傳統的一刀切割的方法,在不影響切割效率的情況下,能夠明顯提高合格率;橫切工序采用一刀切割與雙刀切割間隔使用的方法相比與傳統的只采用一刀切割的方法,既提高了合格率,又大幅度降低了工藝時長,提高了加工效率;相比與橫切工序只采用雙刀切割的加工方法,在大幅度降低工藝時長,提高加工效率的同時,合格率僅出現小幅度下降,該方法適合在生產小尺寸芯片時使用。
聲明:
“一種硅片晶圓劃片工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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