半導體激光器芯片

本實(shí)用新型提出了一種半導體激光器芯片，包括：自下而上依次為N面散熱結構、N面電極、N區外延層、有源區、P區外延層、P面電極和P面散熱結構，所述N面電極通過(guò)生長(cháng)襯底的轉換方式形成。本實(shí)用新型的激光器芯片中的生長(cháng)襯底能夠重復利用，生長(cháng)襯底的As不會(huì )帶入激光器制備的后續工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本；避免了可能導致機械損傷的研磨過(guò)程，進(jìn)而提高了半導體激光器的質(zhì)量可靠性，使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟效益。