本發明涉及一種快速生長SnO2納米片的方法,包括以下步驟:S1)、生長溶液的制備,S2)、SnO2納米片的生長,將制備好的生長溶液和干凈的ITO襯底放入高壓釜當中,在160?250℃下保溫0.5?4h;S3)、樣品清洗,采用去離子水超聲波清洗樣品3?5次,去除殘留的試劑;本發明生長周期短,且納米片的均一性好,可以提升SnO2納米材料的靈敏度;制備工藝簡單,制備成本低,且性能穩定,并且制備的SnO2納米片具有較好的光催化降解功能;本發明制備SnO2納米片分布較為規則,有利益增大納米材料的比表面積;本發明制備SnO2納米片在鋰離子電池、傳感器、光催化等領域具有良好的應用前景。
聲明:
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