一種中遠紅外晶體LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其單晶體生長方法,它涉及中遠紅外激光材料制備技術。它是要解決現有技術中8~10μm的遠紅外波段缺乏合適的頻率轉換材料的技術問題,本方法如下:單質硒放置于石英管底部,鎵、鍺和鋰放置于圓底PBN坩堝中,并將坩堝放入石英管中,石英管經抽真空、熔封后放入傾斜旋轉電阻爐中。電阻爐經加熱、保溫、降溫、冷卻熔融,獲得LiGaGe2Se6多晶原料。再采用水冷式垂直三溫區單晶生長爐,利用LiGaGe2Se6多晶原料生長LiGaGe2Se6單晶,生長過程中加入適量抑制劑抑制LiGaGe2Se6的分解,本發明的LiGaGe2Se6晶體可用于中、遠紅外激光領域。
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