本發明涉及一種多孔碳化硅陶瓷及其制備方法和應用。該多孔碳化硅陶瓷的制備方法包括如下步驟:稱取原料,按照質量百分含量計,所述原料包括如下組分:80%~95%的碳化硅、2%~15%的助燒劑和1%~15%的添加劑,其中,添加劑選自鈦酸鋁、鋰輝石及鋰霞石中的至少一種;將原料混合形成混合料;將混合料成型形成生坯,再將生坯在1300℃~1550℃下燒結,得到多孔碳化硅陶瓷。上述多孔碳化硅陶瓷的制備方法制備到的多孔碳化硅陶瓷兼具較高的氣孔率高和較低的熱膨脹系數。
聲明:
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