本發明涉及一種氣相沉積包覆MoSe2的三元正極材料及其制備方法,旨在提供一種在三元材料表面構建均勻導電包覆層,從而提高材料循環和倍率性能的相沉積包覆MoSe2的三元正極材料及其制備方法;其技術方案依次包括下述步驟:1)將NixCoyMn1?x?y(OH)2前驅體與鋰源按照摩爾比1:1.02?1.06混合均勻后,置于坩堝中,放入管式爐,在氧氣氛圍下熱處理,得到LiNixCoyMn1?x?yO2正極材料;2)將MoO3粉末、硒粉與步驟1)制備的LiNixCoyMn1?x?yO2混合,然后放入管式爐中,在惰性氣體氛圍下熱處理,熱處理結束后冷卻至室溫,使二硒化鉬沉積到三元材料表面,即可形成氣相包覆MoSe2的LiNixCoyMn1?x?yO2材料;屬于鋰離子電池材料領域。
聲明:
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