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帶電極的反向臺面超薄晶片及其制備方法

976   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 23:22:12
本發明公開了一種帶電極的反向臺面超薄晶片及其制備方法,從上而下包括上電極、目標晶片、下電極、隔離層和支撐襯底晶片;其中目標晶片的厚度為10~80μm,目標晶片的材料為鉭酸鋰、鈮酸鋰或石英;上電極和下電極均為厚度為5nm~1μm的金屬膜,支撐襯底晶片的厚度為0.2~1mm,支撐襯底晶片的材料為硅、石英或玻璃,并且目標晶片和支撐襯底晶片的材料不同;本申請的帶電極的反向臺面超薄晶片,從上而下包括上電極、目標晶片、下電極、隔離層和支撐襯底晶片;采用隔離層將目標晶片和支撐襯底晶片連接,其中目標晶片的表面質量好,表面平整度高,因而與目標晶片連接的上電極和下電極的有效面積大,制備的諧振器的頻率穩定性高。
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“帶電極的反向臺面超薄晶片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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