本發明提供一種硅納米線陣列及其制備方法,屬于微納米材料合成領域。以成本較低的工業級硅藻土作為硅源,預處理之后與石墨和海藻酸鈉混合研磨制漿,干燥后與聚酰亞胺膜、金屬鋰片封裝,充放電數次后制得硅納米線陣列。本發明原料易得,工藝簡單,成本較低,應用前景廣闊。制備出的硅納米線形貌特征鮮明,直徑大約為50nm,整體呈規整的陣列狀排列,在納米電子器件、光電子器件以及新能源等方面具有較大的應用前景。
聲明:
“硅納米線陣列及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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