本發明屬于光電探測器技術領域,公開了鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該反溶劑制備方法,包括以下步驟:(1)將基底置于等離子清洗設備中進行改性處理,制得改性的基底;(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱,然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅體溶液,再滴加反溶劑,反應,退火,制得鈣鈦礦薄膜;反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種;退火的溫度為78?122℃。光電探測器具有良好的光電性能,同時具有高的響應度、外量子效率和比探測率,光電探測器的響應度為200?700μA/W,外量子效率大于0.01,比探測率為108?109Jones。
聲明:
“鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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