本發明屬于光電探測技術領域,涉及一種基于稀土離子摻雜鈣鈦礦納米晶體的深紫外光電探測器及其制備方法。本發明的深紫外光電探測器從下至上依次包括襯底層、金屬層、鈣鈦礦納米顆粒層與電極層,鈣鈦礦納米顆粒層以ABX3鈣鈦礦納米晶體為基質材料,其中摻雜稀土離子組成。本發明通過稀土離子大大提高CsPbX3在深紫外線區域的光吸收強度,而且還可以增加鈣鈦礦的電學性能,例如降低表面缺陷和改善載流子遷移率。并且在鈣鈦礦層下方旋涂了Al薄膜之后,大幅度提高了CsPbX3在深紫外線區域的光吸收強度。通過結合這些材料和結構優勢,獲得了具有極低暗電流,高靈敏度和快速響應時間的深紫外光電探測器。
聲明:
“基于稀土離子摻雜鈣鈦礦納米晶體的深紫外光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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