本發明提供了一種雙鈣鈦礦單晶及其制備方法和應用、雙鈣鈦礦單晶光電探測器,涉及單晶材料技術領域。本發明提供的Cs2AgErxBi1?xCl6(x為0~0.9)雙鈣鈦礦單晶的粒度≥1mm。與納米級單晶相比,本發明提供的雙鈣鈦礦單晶具有更低的缺陷,更高的載流子壽命和遷移率,光致發光性能和環境穩定性優異,應用于光電器件中能夠提高光電器件的整體性能;還有利于探究材料的光電特性。進一步的,摻鉺雙鈣鈦礦單晶顯著提高光電探測的光響應率和探測率。而且,傳統的雙鈣鈦礦納米單晶需制成薄膜再應用于光電器件中,而本發明提供的雙鈣鈦礦單晶可直接應用于光電器件中,無需先制備成膜,應用簡單,成本低。
聲明:
“雙鈣鈦礦單晶及其制備方法和應用、雙鈣鈦礦單晶光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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