本發明涉及一種提高器件抗電離輻射總劑量效應的方法,包括以下步驟:1)制作單層結構復合材料:2)制作多層結構復合材料:3)測量電子束在復合材料中的透射系數:4)采用蒙特卡洛粒子輸運方法模擬計算材料的理論透射系數:5)修正電子透射系數;6)采用屏蔽效果最好的復合材料,在器件的相應芯片處進行二次封裝。本發明在保證屏蔽效果最好的同時,使封裝質量最小,可提高航天器器件抗電離輻射總劑量效應。
聲明:
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