本發明公開一種基于I?WP曲面的Cu/SiC復合材料的制備方法,是一種金屬相Cu和陶瓷相SiC以三周期極小曲面I?WP結構為基礎,在三維空間網絡結構連續并且互相纏繞在一起的三維網絡結構復合材料。I?WP曲面結構能有效避免應力集中,增加復合材料的力學性能,Cu/SiC復合材料既具有金屬的塑形、導電導熱性,又具備陶瓷的高硬度、高耐磨性及化學穩定性等特點。所述制備方法具體是設計并3D打印I?WP曲面的結構;多孔SiC陶瓷預制體的制備;金屬Cu的浸滲。本發明可以通過改變I?WP曲面結構的打印參數,控制金屬和陶瓷的含量,使制備的Cu/SiC復合材料更適合工業的需要。
聲明:
“基于I-WP曲面的銅碳化硅復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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