本發明涉及含鉍氮化合物的半導體材料和制備方法及全波段光電器件,含鉍氮化合物的半導體材料組成通式為InN1?xBix,其中,0<x≤20%,薄膜材料能帶覆蓋0~0.7電子伏特;所述InN1?xBix材料具有閃鋅礦結構或纖鋅礦結構;含有所述的含鉍氮化合物的半導體材料的薄膜材料、量子阱、量子點、超晶格、納米線或異質結材料;所述InN1?xBix材料或者異質結材料能夠實現氮化物家族從紫外到太赫茲波段的全波段覆蓋,制備中紅外到太赫茲全波段激光器、探測器等光電器件;本發明的InN1?xBix材料可采用常規分子束外延、金屬有機物化學氣相沉積等多種方法進行生長。
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