本發明屬于半導體器件技術領域,具體為一種光敏薄膜晶體管及其低溫制備方法。本發明光敏薄膜晶體管采用鈣鈦礦量子點作為光敏材料,通過改變鈣鈦礦量子點中鹵族元素的比例,可以使器件對不同波長的光產生響應;同時,該光敏薄膜晶體管所制備方法含括:原子層沉積制備Al2O3柵介質,磁控濺射生長非晶銦鎵鋅氧化物(a?IGZO)溝道層,旋涂法制備鈣鈦礦量子點,電子束蒸發制備源漏電極;所有工藝長溫度均不超過40℃,且器件制備過程中無需進行熱處理,即可得到高性能光敏薄膜晶體管。本發明可應用于柔性電子和光電探測等領域。
聲明:
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