本發明涉及一種納米級高強度、導電性TiO2-Si3N4復合材料的制備方法,其特征在于首先用非均相沉淀法制備銳鈦礦型納米TiO2-Si3N4復合粉體,由納米TiO2-Si3N4復合粉體原位氮化制成氧化鈦-氮化硅復合粉體,然后原位氮化制成TiN-Si3N4復合粉體,加入Y2O3、Al2O3添加劑,制成TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3復合粉體,將TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3的復合粉體熱壓燒結而制成高強度、導電性的TiO2-Si3N4復合材料;復合材料中TiN/Si3N4=5/87~25/67,Al2O3為3,Y2O3為5(均為vol%)。本發明提供的方法制備的TiN-Si3N4中TiN/Si3N4=5/87~25/67(vol%),在TiN含量為20-25vol%導電性最高,原位氮化后TiN顆均勻包裹在Si3N4顆粒表面,晶粒尺寸為40-50納米;比文獻報道的(30-50)vol%TiN含量低。
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