本申請提供了一種光電探測晶體管,包括逐層堆疊的襯底、底柵電極、底柵介質層、有源層、頂柵介質層、和頂柵電極;其中所述有源層包括具有光記憶功能的半導體材料,在所述有源層中包括溝道和源漏電極,并且所述光電探測晶體管的頂柵電極采用透明導電材料;其中所述源漏電極是通過對相應區域的所述有源層材料進行等離子體處理獲得。本申請還公開了相應的制備光電探測晶體管和利用其感光的方法。
聲明:
“光電探測晶體管及其制造方法及相應的光電探測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)