本發明屬于功能材料技術領域,具體涉及一種在薄膜材料中兼容遠紅外透明與導電性能的方法,通過設計光頻介電常數大于15的介質薄膜,并引入濃度為25?35%的陰離子空位以實現遠紅外透明與導電性能的兼容;具體通過制備菱方相的Bi2Tex材料來獲得光頻介電常數大于15的介質薄膜,Bi2Tex材料的制備工藝包括如下步驟:將純Bi2Te3靶安裝在磁控射頻濺射靶中,采用硅片或硫化鋅片作為襯底;抽真空度,通入高純Ar氣;控制純Bi2Te3靶的濺射功率,在基底上沉積;沉積得到薄膜材料后,采用管式爐退火。本發明方法設計科學合理,相比較于傳統通過調控載流子濃度或有效質量方法,其能夠在薄膜材料中很好地實現兼容遠紅外透明與導電性能。
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