本發明提供了一種氧化鎘(CdO)基透光波段可調的導電薄膜制備方法。該方法的核心技術是導電薄膜的透光波段與導電薄膜中銦(In)組分的含量相關,In組分含量的變化與磁控濺射靶材、濺射功率,與靶材和基片之間的距離相關,導電薄膜厚度與薄膜沉積時間長短相關。該方法以雙面拋光玻璃基片為襯底,將兩種靶材的濺射參數調至設計數值,進行濺射沉積:測量獲得透明導電薄膜中In的含量。本發明所制備的不同銦(In)含量的氧化鎘(CdO)基透明導電薄膜,可供不同半導體材料體系太陽能電池選用,使光譜響應范圍內的太陽光更多地射入太陽能電池半導體結構中,從而可最大限度地提高太陽能電池的光利用效率,在太陽能電池、光電探測等光電功能材料和器件領域中具有良好的應用前景。
聲明:
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