本發明屬于納米功能材料技術領域,具體為一種形貌可控為納米棒的二硒化鐵納米薄膜及其制備方法。本發明選用不銹鋼為基底,利用射頻磁控濺射技術,在不銹鋼基底表面沉積MoSe2薄膜,MoSe2薄膜作為基體膜不參與反應,然后進行硒化熱處理,在不銹鋼基底表面得到二硒化鐵納米棒薄膜,大量細長的納米棒相互交織、錯落排列。本發明針對納米棒的形貌控制高效又簡單,制備周期短,成本低,可重復性好,對環境友好,適合工業化生產,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“形貌可控為納米棒的二硒化鐵納米薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)