一種TZO?MoO3包覆粉末的制備及其燒結方法。本發明屬于非金屬元素及其化合物。本發明公開了一種新的工藝來制備MoO3摻雜TZO靶材。本發明的優點在于用一種新的摻雜工藝來代替傳統的球磨摻雜,得到充分混合、均勻摻雜的粉體。適用于微量(0.2?0.5at%)的MoO3粉末摻雜,可制備出致密度超過99.9%,強度超過120MPa,電阻率小于5.0×10?3Ω·cm的摻雜TZO靶材,這種摻雜TZO靶材,可經濟、高效的制成各種復雜形狀。TZO透明導電薄膜性能穩定、制備簡單、成本低廉等優勢,在光電學性能平板顯示領域得到了極其廣泛的應用,是新一代透明導電膜,最有可能替代昂貴的ITO,在薄膜太陽能電池和low?E玻璃等領域,正顯示出巨大的應用前景和市場,是一種被廣泛研究的功能材料。
聲明:
“MoO3包覆TZO粉體的制備及其燒結方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)