本發明涉及一種帶隙可調的全無機鈣鈦礦單晶及其生長方法,該方法先將鹵化銫和鹵化鉛原料在單溫區爐中高溫反應燒結,得到純相混鹵鈣鈦礦晶體多晶料,然后密封入石英坩堝中,再裝入雙溫區布里奇曼爐的生長腔內進行晶體生長,本發明采用高溫區、低溫區進行加熱,可以提高晶體的結晶質量以及光學透過率,得到的混鹵全無機鈣鈦礦單晶實現1.86~2.88eV可調節的帶隙,在窄帶寬光電探測等領域有著極好的應用前景。
聲明:
“帶隙可調的全無機鈣鈦礦單晶及其生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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