用于碳化硅功率器件的無(wú)引線(xiàn)封裝結構和制備方法

本發(fā)明涉及一種用于碳化硅功率器件的無(wú)引線(xiàn)封裝結構和制備方法。本封裝結構包括一個(gè)表面有開(kāi)槽和通孔的圓形氮化鋁基底、碳化硅功率器件、無(wú)引線(xiàn)薄膜電路、一個(gè)鍵合在氮化鋁基底上的銅熱沉和氮化鋁封裝蓋子。本發(fā)明封裝結構中沒(méi)有的引線(xiàn)，不用擔心引線(xiàn)可能引起的斷路、虛接的不良情況。而且，氮化鋁材料與碳化硅的熱導率相近，器件在凹槽內固定，不會(huì )有過(guò)多的熱應力，保證器件的可靠性。