先驅體加入納米Si粉制備凈SiC陶瓷的方法

本發(fā)明提供了一種先驅體加入納米Si粉制備凈SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定質(zhì)量比的SiC陶瓷粉，納米Si粉以及SiC陶瓷先驅體通過(guò)共混無(wú)壓燒結進(jìn)行制備。傳統的碳化硅陶瓷材料采用加壓成型燒結或熱壓燒結進(jìn)行，對設備的要求較高，工藝復雜成本昂貴，且加工性能差。相比較傳統碳化硅陶瓷制備方法，采用先驅體作為粘結劑制備SiC陶瓷得到了廣泛的關(guān)注，此方法工藝簡(jiǎn)單，燒結溫度低，對設備要求低，成本低廉；但是先驅體在裂解過(guò)程后得到的產(chǎn)物為非化學(xué)計量比的SiC非晶，一般情況下會(huì )有較多的裂解碳殘留，對材料的高溫性能影響較大。針對這個(gè)缺點(diǎn)，本方法通過(guò)在體系中加入納米Si粉與裂解碳進(jìn)行反應生成SiC，最終得到了符合化學(xué)計量比的SiC陶瓷。