鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法

本發(fā)明提供了一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法，涉及自旋電子學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明所述的制備方法首先采用真空封管工藝，在正的X蒸氣壓下合成CuCr2X4粉末材料，將獲得的粉末材料與適量X粉末混合后低溫氬氣氣氛燒結，制成富X的CuCr2X4靶材；進(jìn)而采用激光脈沖沉積技術(shù)，以高能脈沖激光轟擊富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中產(chǎn)生一定的X蒸氣分壓，促使CuCr2X4薄膜在高溫襯底上成為尖晶石相，以實(shí)現鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的穩定制備。本發(fā)明制備的鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料結晶度高，在室溫下(300K)具有鐵磁性，飽和磁化強度為150?250emu/cm3，尺寸滿(mǎn)足自旋電子器件需求。