本發明涉及半導體材料技術領域,公開涉及一種純無機鉛鹵鈣鈦礦的X射線探測器及其制備方法和應用,制備方法包括將涂有SnO2中間層的導電襯底置于雙溫區管式爐的低溫區,將前驅體粉末置于雙溫區管式爐高溫區作為蒸發源;石英管抽真空后,將所述低溫區和高溫區分別升溫至100~300℃和550~660℃,通入載氣,保溫20~40min,在SnO2中間層上形成鈣鈦礦膜,得到所述純無機鉛鹵鈣鈦礦吸收層。該吸收層中鈣鈦礦層形貌良好,平整性高,穩定性好,制備的器件X射線靈敏度高,同時具有較好的穩定性和很低的暗電流,適用于X射線探測及成像應用。
聲明:
“純無機鉛鹵鈣鈦礦吸收層及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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