本發明涉及一種具有溝槽陣列結構的微納單晶柔性光電探測器及其制備,制備方法包括以下步驟:1)制備具有溝槽陣列微納結構的硅模板;2)采用熱壓印方式將硅模板上的溝槽陣列微納結構轉移至柔性基底上;3)在柔性基底上制備鈣鈦礦微納單晶;4)在柔性基底的鈣鈦礦微納單晶上磁控濺射Cu電極,即得到具有溝槽陣列結構的微納單晶柔性光電探測器。與現有技術相比,本發明可實現低成本、大面積構筑柔性光電探測器,且光電轉換性能有所提升。
聲明:
“具有溝槽陣列結構的微納單晶柔性光電探測器及其制備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)