用于太陽(yáng)能電池片的減反射膜及其制造方法

本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池減反射膜及其制造方法。該太陽(yáng)能電池減反射膜包括：第一氮化硅層，覆蓋于所述太陽(yáng)能電池片的表面；第二氮化硅層，覆蓋于所述第一氮化硅層的上表面；以及第三氮化硅層，覆蓋于所述第二氮化硅層的上表面。本發(fā)明的三層氮化硅減反射膜可產(chǎn)生良好的鈍化效果，提高冶金多晶硅電池片的短路電流，降低反向漏電流，提升光電轉換效率；同時(shí)，本發(fā)明的制造方法通過(guò)采用間斷性沉積技術(shù)，即在兩層氮化硅薄膜的沉積之間增加一定的停頓時(shí)間，使得每層氮化硅薄膜的生長(cháng)盡可能完整，制得的冶金多晶硅電池外觀(guān)顏色更加均勻，可將電池片表面的色差率從原來(lái)的30％降至5％左右，大大提高了冶金多晶硅電池的合格率。