冶金多晶硅片磷吸雜方法及該法制成的硅片和太陽(yáng)能電池

本發(fā)明提供一種冶金多晶硅片磷吸雜方法、由所述方法制成的硅片以及由所述硅片制成的太陽(yáng)能電池。所述方法包括：腐蝕去除冶金多晶硅片表面損傷層；漂洗硅片并甩干；將硅片置于擴散爐中進(jìn)行磷吸雜熱處理，擴散磷源流量為650~700ml/min，干氧流量為500~700ml/min，擴散溫度為920~970℃，擴散時(shí)間為30~45min，然后冷卻硅片；腐蝕去除硅片表面由于磷擴散形成的吸雜層和PN結；漂洗硅片并甩干，得到磷吸雜后的冶金多晶硅片。所述硅片少子壽命明顯提高，由所述硅片制成的太陽(yáng)能電池的反向漏電流和光衰減明顯降低，本發(fā)明方法磷吸雜處理擴散時(shí)間短，從而生產(chǎn)周期縮短、能耗降低，適于工業(yè)化生產(chǎn)。