權利要求
1.一種氮化鋁覆鋁陶瓷基板生產(chǎn)工藝,其特征在于:包括以下步驟:
S1、混合氮化鋁粉末與納米增強劑,使用高精度混合設備確保均勻分散,以形成混合漿料;
S2、采用流延設備將混合漿料制成均勻薄膜,并且在流延設備上將漿料間歇的進(jìn)行隔段打孔,以增大部分位置的薄膜表面接觸面積;
S3、對薄膜采用熱等靜壓燒結工藝,并使帶孔的薄膜位于最上方,在高溫高壓下處理以形成表面帶凹槽的基板;
S4、對表面帶凹槽的基板進(jìn)行等離子處理,然后通過(guò)真空濺射技術(shù),均勻沉積鋁層在基板表面,以進(jìn)行覆鋁處理;
S5、將覆鋁處理后的基板使用激光切割設備進(jìn)行精確加工。
2.根據權利要求1所述一種氮化鋁覆鋁陶瓷基板生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述納米增強劑為碳納米管和石墨烯的混合物。
3.根據權利要求1所述一種氮化鋁覆鋁陶瓷基板生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述流延設備包括臺座(1)、安裝于臺座(1)內部前側的驅動(dòng)主體(2)、連接于驅動(dòng)主體(2)頂側左部的輸送帶(3)、安裝于輸送帶(3)內部前后兩側的兩個(gè)張緊輥(4)以及從后至前依次排列設置于臺座(1)頂部的漿液箱(5)、緊壓機構(7)、打孔機構(8)和蒸發(fā)主體(9),所述漿液箱(5)前側壁底部緊固有刮刀(6),所述輸送帶(3)安裝于臺座(1)內部頂側。
4.根據權利要求3所述一種氮化鋁覆鋁陶瓷基板生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述緊壓機構(7)包括固定連接于臺座(1)頂部左右兩側的外框架(71)、安裝于外框架(71)內部左右兩側的兩個(gè)氣缸(72)、連接于氣缸(72)底端部的移位架(73)、滑動(dòng)連接于移位架(73)頂部左側的側架(74)、滑動(dòng)連接于移位架(73)頂部右側的矩形塊(75)以及設置于移位架(73)底側的滾壓結構(76),所述側架(74)和矩形塊(75)頂部均與外框架(71)相緊固,所述移位架(73)左側插入滑動(dòng)于外框架(71)內部,所述滾壓結構(76)頂側貫穿設置于側架(74)內部。
5.根據權利要求4所述一種氮化鋁覆鋁陶瓷基板生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述滾壓結構(76)包括緊固于側架(74)右側的第一電機(761)、連接于第一電機(761)左側輸出端的第一錐齒輪(762)、嚙合于第一錐齒輪(762)頂部左側的第二錐齒輪(763)、貫穿設置于第二錐齒輪(763)內部中側的轉桿(764)、包裹設置于轉桿(764)外表面底側的套塊(765)、連接于套
聲明:
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我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)