空間用多結太陽(yáng)電池及其制備方法

權利要求 1.一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1.在GaAs襯底上生長(cháng)多結太陽(yáng)電池的外延片，依次包括腐蝕截止層、子電池結構與隧穿結、歐姆接觸層; S2.在外延片表面使用PECVD技術(shù)依次沉積氮化硅犧牲層與二氧化硅層; S3.利用臨時(shí)鍵合技術(shù)，將外延片與藍寶石臨時(shí)襯底鍵合在一起，然后去除GaAs襯底和腐蝕截止層，進(jìn)行外延片的第一次翻轉; S4.在外延片上制作ODR反射層; S5.利用金屬鍵合技術(shù)，將外延片與Si襯底鍵合在一起，并且去除藍寶石臨時(shí)襯底，實(shí)現外延片的第二次翻轉; S6.在翻轉后的外延片上進(jìn)行芯片工藝制作。 2.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，S1中，所述腐蝕截止層的材料為InGaP或AlInP;所述子電池結構為二結或單結，二結生長(cháng)的順序是GaAs、InGaP，單結為GaAs或InGaP;所述隧穿結為GaAs/AlGaAs或GaAs/GaInP;所述子電池整體厚度為1μm-2μm;所述歐姆接觸層的材料為GaAs。 3.根據權利要求2所述的一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述子電池結構包括背反射層、基區、發(fā)射區、PN結、窗口層;GaAs子電池窗口層的材料為AlGaAs或InGaP，InGaP子電池窗口層的材料為AlInP。 4.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，S2中，所述氮化硅犧牲層的厚度不低于0.5μm，二氧化硅層的厚度不低于2μm。 5.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，S3中，鍵合條件為：真空度低于5E-01Pa，壓力15000kgf，溫度375℃，鍵合時(shí)間為45min;去除GaAs襯底的腐蝕溶液的化學(xué)成分為NH4OH、H2O2、H2O體積比例為1:1:5或1:5:5的混合液;去除腐蝕截止層的溶液為鹽酸溶液。 6.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，S4中，ODR反射層的制作方法包括以下步驟：首先，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)或PECVD技術(shù)在外延片表面沉積介質(zhì)膜;然后，通過(guò)光刻技術(shù)，在介質(zhì)膜上制作圖形，采用化學(xué)溶液腐蝕或干