權利要求
1.一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1.在GaAs襯底上生長多結太陽電池的外延片，依次包括腐蝕截止層、子電池結構與隧穿結、歐姆接觸層;
S2.在外延片表面使用PECVD技術依次沉積氮化硅犧牲層與二氧化硅層;
S3.利用臨時鍵合技術，將外延片與藍寶石臨時襯底鍵合在一起，然后去除GaAs襯底和腐蝕截止層，進行外延片的第一次翻轉;
S4.在外延片上制作ODR反射層;
S5.利用金屬鍵合技術，將外延片與Si襯底鍵合在一起，并且去除藍寶石臨時襯底，實現外延片的第二次翻轉;
S6.在翻轉后的外延片上進行芯片工藝制作。
2.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，S1中，所述腐蝕截止層的材料為InGaP或AlInP;所述子電池結構為二結或單結，二結生長的順序是GaAs、InGaP，單結為GaAs或InGaP;所述隧穿結為GaAs/AlGaAs或GaAs/GaInP;所述子電池整體厚度為1μm-2μm;所述歐姆接觸層的材料為GaAs。
3.根據權利要求2所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，所述子電池結構包括背反射層、基區、發射區、PN結、窗口層;GaAs子電池窗口層的材料為AlGaAs或InGaP，InGaP子電池窗口層的材料為AlInP。
4.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，S2中，所述氮化硅犧牲層的厚度不低于0.5μm，二氧化硅層的厚度不低于2μm。
5.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，S3中，鍵合條件為：真空度低于5E-01Pa，壓力15000kgf，溫度375℃，鍵合時間為45min;去除GaAs襯底的腐蝕溶液的化學成分為NH4OH、H2O2、H2O體積比例為1:1:5或1:5:5的混合液;去除腐蝕截止層的溶液為鹽酸溶液。
6.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法，其特征在于，S4中，ODR反射層的制作方法包括以下步驟：首先，采用電子束蒸發技術或PECVD技術在外延片表面沉積介質膜;然后，通過光刻技術，在介質膜上制作圖形，采用化學溶液腐蝕或干
聲明：
“空間用多結太陽電池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：南昌凱迅光電股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
