權利要求書： 1.太陽能電池片的制備方法，其特征在于，采用正面為非100晶向的單晶硅片制備電池片，且通過制絨制得正面具有棱錐絨面結構的電池片；棱錐頂點在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面中心的一側；且電池片上各棱錐的頂點朝向相同。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，棱錐頂點在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面的外側。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述棱錐為四棱錐，包括底面和四個側面。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述四棱錐的底面為長方形或正方形。
5.根據權利要求3所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述四棱錐有一個側面與底面的夾角為鈍角，該鈍角不大于110度。
6.根據權利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心存在非90度的夾角。
7.根據權利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由非100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心垂直。
8.根據權利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，包括：正面為110晶向或111晶向的單晶硅片。
說明書： 太陽能電池片的制備方法技術領域[0001] 本發明涉及光伏領域，具體涉及一種太陽能電池片的制備方法。背景技術[0002] 硅片表面的反射率是影響太陽能電池效率的重要因素，為了降低硅片表面的反射率，需要在硅片表面制備絨面結構，常見的是金字塔結構，即正四棱錐結構。
[0003] 現有的正四棱錐絨面結構可以降低硅片表面的反射率，但還需要進一步優化絨面結構，以便進一步降低硅片表面的反射率。
發明內容[0004] 為了進一步降低硅片表面的反射率，本發明提供一種太陽能電池片的制備方法，采用正面為非100晶向的單晶硅片制備電池片，且通過制絨制得正面具有棱錐絨面結構的
電池片；棱錐頂點在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面中心的一側；且電池片
上各棱錐的頂點朝向相同。
[0005] 優選的，棱錐
聲明：
“太陽能電池片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：常州時創能源股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
