權利要求書： 1.一種高效背面接觸型太陽能電池單元，其中在第一導電型的半導體基板的作為非受光面的背面上形成有擴散第二導電型的雜質的雜質擴散層，并設置有與所述雜質擴散層接觸的電極，其中，
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所述雜質擴散層中雜質的表面濃度為5×10 原子/cm以上且5×10 原子/cm以下，和所述雜質擴散層中雜質的擴散深度為從所述背面的表面起1μm以上且2.9μm以下，
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其中，所述雜質擴散層中雜質的濃度的最大值為7×10 原子/cm以上且7×10 原子/3
cm以下，
所述雜質擴散層中雜質的濃度成為所述最大值的位置為從所述背面的表面起0.1μm以上且1μm以下的深度，所述電極為至少含有玻璃料、銀和鋁的燒結體，
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所述電極的截面面積為350μm以上且1000μm以下，和所述電極部分地貫入所述雜質擴散層，貫入的深度為從所述背面的表面起0.1μm以上且1.9μm以下。
2.根據權利要求1所述的高效背面接觸型太陽能電池單元，其中所述雜質擴散層的薄層電阻為60Ω/□以上且150Ω/□以下。
3.根據權利要求1或2所述的高效背面接觸型太陽能電池單元，其中所述第一導電型為n型，所述第二導電型為p型。
4.一種太陽能電池組件，其通過電連接多個根據權利要求1至3任一項所述的高效背面接觸型太陽能電池單元來形成。
5.一種光伏發電系統，其通過電連接多個根據權利要求4所述的太陽能電池組件來形成。
說明書： 高效背面接觸型太陽能電池單元、太陽能電池組件和光伏發電系統
技術領域[0001] 本發明涉及具有有利的轉換效率的高效背面接觸型太陽能電池單元、太陽能電池組件和光伏發電系統。背景技術[0002] 太陽能電池單元典型地由尺寸為100～150mm2、厚度為0.1～0.3mm的板狀的多晶硅或單晶硅等制成，太陽能電池單元的主要材料為摻雜有硼等p型雜質的p型半導體基板。在這種太陽能電池單元中，n型擴散層(發射極層)和防反射膜形成于接受太陽光的受光面上，并形成貫通防反射膜以與發射極層接觸的電極。
[0003] 在太陽能電池單元中，電極對于取出光伏轉換而得的電流是必不可少的。然而，由于電極的遮蔽，太陽光不能射入受光面上的電極區域下方的部位，電極的面積越大，轉換效率下降得
聲明：
“高效背面接觸型太陽能電池單元、太陽能電池組件和光伏發電系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：信越化學工業株式會社
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2025年08月05日 ~ 07日 
