高通量篩選用Ta-W-Nb-Al-Cr-Ti-Si系高熵合金滲鍍層及其制備方法

權利要求書(shū)： 1.一種高通量篩選用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金滲鍍層的制備方法，其特征在于包括以下步驟： 1）按照成分提供靶材；成分表達式為：(TaaWbNbc)x(AldCreTifSig)100?x，其中，6 100；a、b和c的取值滿(mǎn)足Ta、W、Nb中任意兩種元素的物質(zhì)的量之差不超過(guò)Ta、W、Nb總物質(zhì)的量的2%；d、e、f和g的取值滿(mǎn)足Al、Cr、Ti、Si中任意兩種元素的物質(zhì)的量之差不超過(guò)Al、Cr、Ti、Si總物質(zhì)的量的1%；靶材為T(mén)aWNb合金靶和AlCrTiSi合金靶；或者靶材為T(mén)aWNb合金靶、TiAl靶、Cr靶和Si靶組合的柵極靶；或者是AlCrTiSi合金靶、Ta靶、W靶和Nb靶組合的柵極靶； 2）將所述步驟1）的靶材安裝在加弧輝光等離子滲鍍設備的靶位，將金屬基體固定于加弧輝光等離子滲鍍設備的試樣臺上，然后進(jìn)行共滲鍍； 所述滲鍍層水平面方向橫向為相同成分，水平面方向縱向Ta、W和Nb的原子百分含量呈梯度變化；所述滲鍍層垂直水平面方向的界面部分Ta、W、Nb、Al、Cr、Ti、Si的成分布呈梯度變化。 2.根據權利要求1所述的高通量篩選用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金滲鍍層的制備方法，其特征在于：所述滲鍍層由表面沉積層和擴散層組成；所述表面沉積層的厚度為10 15μm，所述擴散層厚度為5 10μm。 ~ ~ 3.根據權利要求1所述的高通量篩選用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金滲鍍層的制備方法，其特征在于：所述Ta、W和Nb在基片中心位置±4cm范圍內成分梯度變化率為2 3%·~ cm?1，所述的Al、Cr、Ti和Si在該范圍內的成分梯度變化率為1 2%·cm?1。 ~ 4.根據權利要求1所述的高通量篩選用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金滲鍍層的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中TaWNb合金靶和AlCrTiSi合金靶在靶位安裝時(shí)為平行設置或者呈120°夾角設置。 5.根據權利要求1所述的高通量篩選用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金滲鍍層的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中TaWNb合金靶的工作電壓為700 750，AlCrTiSi合金靶~ 的工作電壓為800 900，基體的工作電