權利要求書： 1.一種提純半導體型單壁碳納米管的方法，包括以下步驟：
1)待提純碳納米管與含亞胺鍵的共軛聚合物混合溶于非極性有機溶劑中，其中所述非極性有機溶劑為不易揮發的高沸點、高粘度的非極性芳香溶劑，沸點高于120℃，粘度高于0.55mPa·s；
2)將步驟1)所得混合溶液在低溫環境下進行超聲分散，分散過程中通過循環冷卻裝置為超聲溶液降溫，所述循環冷卻裝置包括循環冷卻儀器以及雙層壁容器，超聲溶液置于雙層壁容器內，雙層壁容器的內外層壁之間通循環冷卻液為超聲溶液降溫，使體系溫度嚴格維持在?20～20℃之間的一個固定溫度；
3)超速離心使金屬型碳納米管及其他雜質沉降，上清液中分散有包裹著含亞胺鍵的共軛聚合物的半導體型單壁碳納米管，其中半導體型單壁碳納米管的純度大于99.9％，產率大于30％。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含亞胺鍵的共軛聚合物是含芴、咔唑、噻吩、吡咯并吡咯二酮單體的均聚物，或者它們之間組成的共聚物，或者它們與苯、萘、蒽、吡啶、聯吡啶和/或苯并噻二唑單體組成的共聚物，單體之間通過亞胺鍵相連。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述含亞胺鍵的共軛聚合物的結構通式如下：其中，Ar1代表芴、咔唑、噻吩或吡咯并吡咯二酮共軛單元，Ar2代表苯、芴、咔唑、噻吩、苯并噻二唑、吡啶、萘或蒽共軛單元；n代表聚合度，為10?30的整數。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述含亞胺鍵的共軛聚合物和待提純碳納米管混合的質量比為0.2?1.0。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述非極性有機溶劑為鄰二甲苯、間二甲苯、1,2,4?三甲基苯中的一種或多種的混合溶劑。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)超聲時間小于2h，循環冷卻溫度為?15～10℃之間的一個固定溫度。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)離心速度為2500～45000g，時間為5～
30min，溫度為15～20℃。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對步驟3)獲得的上清液進行二次提純，然后采用絮凝的方式去除所述共軛聚合物。
說明書： 一種半導體型單壁碳納米管提純方法技術領域[0001] 本發明屬于半導體型單壁碳納米管提純技術領
聲明：
“半導體型單壁碳納米管提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：北京大學
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2025年08月05日 ~ 07日 
