鈣鈦礦材料的提純裝置

權利要求書(shū)： 1.一種鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦材料的提純裝置包括進(jìn)料區、籽晶區、加熱單元、分段溫控晶體生長(cháng)區和晶體收集區； 所述進(jìn)料區與所述籽晶區連接，用于向所述籽晶區中加入鈣鈦礦材料的溶液； 所述加熱單元用于加熱所述籽晶區中的所述鈣鈦礦材料的溶液； 所述分段溫控晶體生長(cháng)區包括料液輸運動(dòng)力部件和輸送管道；所述料液輸運動(dòng)力部件設置在所述輸送管道的內部；所述輸送管道的一端位于所述籽晶區內，另一端與所述晶體收集區連接； 所述輸送管道沿鈣鈦礦材料的溶液流動(dòng)方向依次包括料液輸運動(dòng)力部件、第一加熱元件、第二加熱元件和第三加熱元件；所述輸送管道用于流通并加熱從所述籽晶區輸入的鈣鈦礦材料的溶液。 2.如權利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述料液輸運動(dòng)力部件為輸送帶、螺旋槳、自吸泵和離心泵中的任意一種。 3.如權利要求2所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述輸送帶的表面具有條狀凸起結構；所述條狀凸起結構的數量為1個(gè)以上。 4.如權利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，當所述籽晶區中的所述鈣鈦礦材料的溶液體積為1L時(shí)，所述輸送管道的直徑為1～10cm。 5.如權利要求4所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，當所述籽晶區中的所述鈣鈦礦材料的溶液體積為1L時(shí)，所述輸送管道的直徑為5cm。 6.如權利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述晶體收集區包括刮刀或篩網(wǎng)。 7.如權利要求1所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦材料的提純裝置還包括料液循環(huán)返回區。 8.如權利要求7所述的鈣鈦礦材料的提純裝置，其特征在于，所述料液循環(huán)返回區的一端與所述晶體收集區連接，用于接收所述晶體收集區收集鈣鈦礦單晶材料后的剩余料液； 另一端與所述籽晶區連接，用于將所述剩余料液輸送至所述籽晶區。 說(shuō)明書(shū)： 一種鈣鈦礦材料的提純裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本實(shí)用新型涉及一種鈣鈦礦材料的提純裝置。背景技術(shù)[0002] 鈣鈦礦材料因具備可調控的直接帶隙、高電子遷移率、高吸收系數和長(cháng)載流子壽命等優(yōu)勢被廣泛應用于半導體光電器件中，例如太陽(yáng)能電池、光電探測器、發(fā)光二極管、高能射線(xiàn)閃爍體、場(chǎng)效應晶體管和憶阻器等領(lǐng)域。相比于傳統的硅基半導體材料，鈣