本發明公開了一種低頻低介電損耗電子陶瓷材料及其制備方法,所述陶瓷材料采用低溫共燒技術進行封裝得到,為多層陶瓷材料,具有外層、內層,內層為鈣鈦礦空間結構的陶瓷材料,分子式為Pb1?xAxByC1?yO3;外層分為采用等離子噴涂形成的SiN?Cr3C2?Ti復合薄膜層。本發明提供的電子陶瓷材料具有單晶相的鈣鈦礦結構,其具有1:1B位有序排列的陽離子,導致了所合成的陶瓷材料具有鉛基體系空間電荷極化的特性,材料遵循非Debye弛豫過程,導電過程具有極化子載流子,使所述陶瓷材料同時具有優良的低頻特性、低介電損耗性能以及較高的溫度穩定性,其采用一次性固體合成方法,減少了操作步驟,簡化了操作流程,提高了生產效率。
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