本發明涉及自旋電子學材料領域,具體涉及一種磁性半導體材料及其制備方法;其化學式為AB1?yCyX3,其中y=0?0.1,A為Ca、Sr和Ba中的一種,B為Ti、Zr和Hf中的一種,X為S或Se,C為Mn、Fe和Co中的一種;由于硫族鈣鈦礦具有與氧化物鈣鈦礦相似的化學式和結構,當氧化物鈣鈦礦中的氧離子被硫族(S,Se)離子替代后它們的結構會發生畸變,由此引起電子結構的顯著變化,相應地其帶隙寬度與光電性質也會隨之改變。并用具有局域磁矩的3d過渡族金屬C(Mn、Fe、Co)取代B位陽離子,材料可表現出長程磁有序。因此,采用本發明設計并制備的硫族磁性半導體材料極大地豐富磁性半導體材料的可選擇性,從而為設計新型的高居里點自旋電子學材料和器件提供可能。
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