1.本發明涉及半導體加工制造技術領域，特別涉及一種調焦調平檢測裝置。背景技術：2.投影光刻機是一種把掩模圖形通過投影物鏡成像到硅片面的設備，為了掩模圖形能夠準確曝光，需由調焦調平系統精確控制硅片面位于指定曝光位置。通過檢測曝光視場內硅片面的高度與傾斜信息來判斷硅片面是否正確調焦調平，根據測量結果，調焦調平系統進一步調整工件臺的位置，使工件臺上的硅片面位于投影物鏡的最佳焦平面處。3.為了獲得整個曝光場的硅片面信息，通常在硅片面上標記多個測量點，根據每個測量點的高度和傾斜信息得到整個硅片面的高度和傾斜信息。4.圖1為典型的基于圖像處理技術的調焦調平系統(fls)三角測量原理示意圖，來自投影支路的光線入射到硅片面后，經硅片面反射到達探測支路，最終被光電探測器所接收。當硅片面的上表面位置與投影物鏡最佳焦平面位置的高度偏差，即離焦量為δz時，光斑在光電探測器上所成像的位置改變量δy與δz之間的關系為：5.其中β為成像放大倍率。6.因為從硅片面反射的光線是傾斜的，為了在探測器上接收到清晰像，探測面上的入射角與硅片面的反射角需滿足scheimpflug條件。 scheimpflug條件如圖2所示，表示與光軸成一定夾角(小于90°)的物面若要在像面清晰成像，則該像面也與光軸成一定夾角(小于90°)，物面與像面的傾斜角度、θ與光學系統放大倍率m相關，近軸條件下，滿足以下公式：[0007][0008]目前，為了減小被測物膜層間的干涉效應，通常選用寬波段作為照明光源，光源經過透射式鏡組準直后，入射到投影狹縫面。而由于光學材料的色散特性與波長相關，導致不同波長的軸外光線在投影狹縫面上的入射角度不同；另外，隨著探測視場的增大，邊緣視場的照明光線的準直特性也會不佳。上述兩點引起投影狹縫面的不同波長不同視場光線出射角度不同，根據scheimpflug條件，與投影狹縫面共軛的硅片面的光線入射角也會跟著變化，即不同波長不同視場下，離焦量δz有不同的靈敏度系數。當 fls測量離焦量δz時，忽略了這種微小的差別，對不同波長不同視場選用了相同的硅片面入射角來計算，從而影響了fls的測量精度。[0009]因此需要一種新裝置可以解決上述問題，讓靈敏度系數與波長和視場不相關，提高fls測量精度。技術實現要素：[0010]本發明的目的在于提供一種調焦調平檢測裝置，可以解決現有技術中對不同波長不同視場選用了相同的硅
聲明：
“調焦調平檢測裝置的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：管理員
來源：上海微電子裝備（集團）股份有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
