砷化鎵LED芯片研磨后拋光的方法及工裝與流程

(一)技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法及工裝。(二)背景技術(shù)：隨著(zhù)技術(shù)工藝的不斷發(fā)展，led芯片不斷向高密度、高性能、小型化和輕薄化發(fā)展。其中，器件的薄片化已成為功率器件和光伏器件的重點(diǎn)發(fā)展方向之一。一方面，薄片可以降低器件的導通電阻和壓降，從而大幅度減少器件的導通損耗，提升器件在散熱方面的性能，防止led芯片有源區過(guò)高的溫升對其光輸出特性和壽命產(chǎn)生影響；另一方面，為滿(mǎn)足led芯片工藝制程中劃片、裂片等后繼工藝的要求，同樣需要將芯片襯底厚度減薄至一定程度；再一方面，薄片利于減少器件封裝的空間，實(shí)現整個(gè)封裝模塊的小型化和輕薄化。因此，在led芯片制備工藝中，芯片襯底厚度減薄是非常重要的工藝制程?，F有技術(shù)中主要采用研磨機對芯片襯底進(jìn)行機械研磨，即在芯片襯底研磨減薄時(shí)，將芯片正面貼附在陶瓷盤(pán)(一種芯片減薄用貼片工件)上，芯片襯底通過(guò)設備機械臂與研磨盤(pán)相接觸相互擠壓的摩擦力進(jìn)行研磨減薄作業(yè)。研磨后的砷化鎵襯底總會(huì )存在一定的損傷層，如果損傷層太深會(huì )直接影響后續切割的質(zhì)量?，F在比較通用的做法是研磨后的芯片再進(jìn)行一道化學(xué)腐蝕的拋光作業(yè)，通過(guò)化學(xué)試劑來(lái)吃掉芯片表層的損傷層，達到改善芯片研磨后背面損傷層去除的目的。該方法是芯片研磨后經(jīng)過(guò)去蠟清洗得到表面潔凈的芯片，再在芯片表面上涂甩上一層光刻膠(腐蝕拋光襯底時(shí)起保護芯片正面的作用)放入化學(xué)試劑中進(jìn)行腐蝕拋光，拋光完后把芯片取出，這種方法步驟較多，流程繁瑣，容錯率低；化學(xué)試劑反應比較劇烈且放出大量的熱，芯片正面涂抹的光刻膠經(jīng)常出現被破壞不能很好的保護芯片正面的結果，造成芯片正面損傷甚至報廢的異常結果；腐蝕拋光襯底時(shí)現作業(yè)中并沒(méi)有很好的工藝解決方法。(三)技術(shù)實(shí)現要素：為克服現有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法及工裝，能夠有效地提高研磨后拋光的效率，避免芯片正面的損傷，且提高腐蝕拋光的效率、質(zhì)量和安全性。本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現的：一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的工裝，包括上板和下板，所述上板和下板通過(guò)固定栓連接；所述上板一側設有手柄。優(yōu)選的，所述下板的內側面上設有用于固定陶瓷盤(pán)的固定槽，所述固定槽與陶瓷盤(pán)的周向接觸面截面形狀為一優(yōu)弧。優(yōu)選的，所述上板和下板上均設有若干的板孔。一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法，包括以下步驟：a、貼片：將陶瓷盤(pán)