一種功率二極管器件,涉及半導體器件技術領域。該功率二極管器件包括襯底、設于襯底上且包括有源區和終端區的碳化硅外延層、設于有源區上的肖特基金屬層、設于肖特基金屬層上的正面金屬層、設置于終端區上且與肖特基金屬層鄰接的鈍化層,和覆蓋鈍化層和正面金屬層的保護層,保護層上開設有露出正面金屬層的窗口;還包括依次形成于襯底背面的歐姆金屬層和背面金屬層;鈍化層的厚度小于或等于0.1μm,且鈍化層包括覆蓋終端區的第一部、覆蓋正面金屬層的上表面周緣的第三部,和連接于第一部和第三部之間且包覆正面金屬層側壁的第二部。該器件能夠有效解決器件在經過TCT測試后,器件鈍化層發生開裂而引起器件可靠性降低,甚至失效的問題。
聲明:
“功率二極管器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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