本發明涉及一種避免反濺射層剝離的SIP系列靶材及其用途。所述SIP系列靶材包括陰極金屬,所述陰極金屬邊緣的倒角半徑R≥4mm。針對現有技術中,常規的SIP系列靶材,陰極金屬與反濺射層間的界面設計并不能很好地緩解因熱膨脹系數差異而產生的界面應力不匹配和應力集中問題,存在反濺射層剝落的風險;且反濺射層剝落會產生異常物理尖端,從而引發尖端放電,導致后續芯片的電性測試失效及硅片報廢的問題。本發明所述SIP系列靶材能夠有效地緩解陰極金屬與反濺射層間的應力不匹配和應力集中情形,能夠避免反濺射層剝離和等離子體尖端放電的問題。
聲明:
“避免反濺射層剝離的SIP系列靶材及其用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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